IRFP260MPBF

Modello di prodotti: IRFP260MPBF

fabbricante: Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Kovich-IC Modello di prodotti: 73D-IRFP260MPBF

Pacchetto: TO-247-3

Scheda dati: ~~IRFP260MPBF.pdf~~

Stato RoHS: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

Stato RoHS

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Specifiche

fabbricanteCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Vgs (th) (max) a Id4V @ 250µA
Vgs (Max)±20V
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitoreTO-247AC
SerieHEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs40mOhm @ 28A, 10V
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Contenitore / involucroTO-247-3
PacchettoTube

temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggioThrough Hole
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4057 pF @ 25 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs234 nC @ 10 V
Tipo FETN-Channel
Caratteristica FET-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)10V
Tensione drain-source (Vdss)200 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Numero di prodotto di baseIRFP260

1.IRFP260MPBF.pdf 2.IRFP260MPBF.pdf 3.IRFP260MPBF.pdf 4.IRFP260MPBF.pdf 5.IRFP260MPBF.pdf 6.IRFP260MPBF.pdf

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Proprietà del prodotto
Modello di prodotti	IRFP4468PBF	IRFP4227PBF	IRFR120NTRPBF	IRFR220NTRPBF
fabbricante	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies
temperatura di esercizio	-	-	-	-
Rds On (max) a Id, Vgs	-	-	-	-
Tipo FET	-	-	-	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-	-	-	-
Numero di prodotto di base	-	-	-	-
Contenitore dispositivo fornitore	-	-	-	-
Vgs (Max)	-	-	-	-
Contenitore / involucro	-	-	-	-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-	-	-	-
Tensione drain-source (Vdss)	-	-	-	-
Caratteristica FET	-	-	-	-
Tipo montaggio	-	-	-	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-	-	-	-
Dissipazione di potenza (max)	-	-	-	-
Pacchetto	-	Bulk	Bulk	Bulk
Serie	-	*	*	*
Vgs (th) (max) a Id	-	-	-	-
Tecnologia	-	-	-	-
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	-	-	-	-