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FDC6306P

Modello di prodotti
FDC6306P
fabbricante
AMI Semiconductor/onsemi
Kovich-IC Modello di prodotti
73D-FDC6306P
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
FDC6306P.pdf
Stato RoHS
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
Stato RoHS
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Specifiche
Specifiche
  • AMI Semiconductor/onsemi
  • 1.5V @ 250µA
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • SuperSOT™-6
  • PowerTrench®
  • 170mOhm @ 1.9A, 4.5V
  • 700mW
  • SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Tape & Reel (TR)
  • -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Surface Mount
  • 441pF @ 10V
  • 4.2nC @ 4.5V
  • Logic Level Gate
  • 20V
  • 1.9A
  • 2 P-Channel (Dual)
  • FDC6306

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Proprietà del prodotto FDC6312P FDC6327C FDC6561AN FDC6321C
Modello di prodotti FDC6312P FDC6327C FDC6561AN FDC6321C
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Potenza - Max - - - -
Configurazione - - - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) - - - -
Serie - * * *
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - - - -
temperatura di esercizio - - - -
Contenitore / involucro - - - -
Pacchetto - Bulk Bulk Bulk
Tipo montaggio - - - -
Numero di prodotto di base - - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Tecnologia - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs - - - -
Contenitore dispositivo fornitore - - - -

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