- Analog Devices / Maxim Integrated
- 70ns
- 4.5V ~ 5.5V
- NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
- 36-EDIP
- -
- 36-DIP Module (0.610", 15.49mm)
- Tube
- 0°C ~ 70°C (TA)
- Through Hole
- Non-Volatile
- 16Mbit
- 2M x 8
- Parallel
- NVSRAM
- DS1270Y
- 70 ns
| Proprietà del prodotto |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| Modello di prodotti | S29GL01GP12FAI010 | CY62187EV30LL-55BAXI | IDT71V416S12PH | S25FL256SAGBHI200 |
| fabbricante | Cypress Semiconductor Corp | Infineon Technologies | Renesas Electronics America Inc | Infineon Technologies |
| Tempo di accesso | - | - | - | - |
| Tipo di memoria | - | - | - | - |
| Organizzazione di memoria | - | - | - | - |
| Tipo montaggio | - | - | - | - |
| Contenitore / involucro | - | - | - | - |
| Tecnologia | - | - | - | - |
| temperatura di esercizio | - | - | - | - |
| Formato di memoria | - | - | - | - |
| Dimensione della memoria | - | - | - | - |
| Serie | - | * | * | * |
| Tensione di alimentazione - | - | - | - | - |
| Contenitore dispositivo fornitore | - | - | - | - |
| Pacchetto | - | Bulk | Bulk | Bulk |
| Numero di prodotto di base | - | - | - | - |
| Interfaccia di memoria | - | - | - | - |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina | - | - | - | - |
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